特許

J-GLOBAL ID：200903099553863890

歪多重量子井戸構造およびその製造方法ならびに半導体レーザ

発明者： 鬼頭 雅弘 ,  大塚 信之 ,  石野 正人 ,  松井 康
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-023937
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235730
出願日： 1994年02月22日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 発光特性の良い歪多重量子井戸構造を提供する。【構成】 InP基板601上に層厚100nmのIn0.83Ga0.17As0.38P0.62(λg=1.15μm)602にはさまれた10周期の障壁層603と層厚8nmで引張り歪量1.38%のIn0.46Ga0.54As0.75P0.25歪井戸層604からなる超格子層605が形成されている。超格子層605の上にはInP層606が積層されている。障壁層603が層厚3nmのIn0.83Ga0.17As0.38P0.62(λg=1.15μm)無歪障壁層607にはさまれた層厚10nmで圧縮歪1.23%のInAs0.38P0.62608で構成されている。この様な構成にすることにより、発光特性を損なうことなく歪多重量子井戸活性層に導入できる引張り歪量を大きくでき、かつ井戸層数を多くできる。

請求項（抜粋）：

In(1ーxw)Ga(xw)As(yw)P(1ーyw)井戸層と障壁層とを備え、前記井戸層には引っ張り歪が加えられており、前記障壁層は前記井戸層と接する部分であるIn(1ーxb1)Ga(xb1)As(yb1)P(1ーyb1)無歪障壁層と、前記無歪障壁層に接する部分にはIn(1ーxb2)Ga(xb2)As(yb1)P(1ーyb1)歪障壁層層とを有し、前記歪障壁層には圧縮歪が加えられており、前記無歪障壁層と前記歪障壁層のAsとPの比率が同じであることを特徴とする歪多重量子井戸構造。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ひずみ超格子を有する半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-087465   出願人：国際電信電話株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-218933   出願人：株式会社東芝
• 半導体構造及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-015330   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-263483