特許

J-GLOBAL ID：200903099559552960

窒化ガリウム系化合物半導体とその製造方法

発明者： 赤崎 勇 ,  天野 浩 ,  山口 栄雄
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-191085
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024221
出願日： 1999年07月05日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 MOVPE法により形成したGaN層の結晶性、光学特性等の改善。【構成】サファイア基板上に設けたAlNバッファ層上に有機金属化合物気相成長(MOVPE)法により成膜したGaNまたはAlGaN化合物半導体であって、MOVPE法により成膜したGaN膜またはAlx Ga1-x N膜の格子定数の値とバルクGaNまたはAlx Ga1-x Nの格子定数の値との間のa軸格子定数およびc軸格子定数(ただし、a軸とc軸はバルクGaNまたはAlx Ga1-x Nの歪みと応力の関係を実質的に満たす)を有するInドープGaN膜またはAlGaN膜からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に設けたAlNバッファ層上に有機金属化合物気相成長(MOVPE)法により成膜したGaN化合物半導体であって、MOVPE法により成膜したGaN膜の格子定数の値とバルクGaNの格子定数の値との間のa軸格子定数およびc軸格子定数(ただし、a軸とc軸はバルクGaNの歪みと応力の関係を実質的に満たす)を有するInドープGaN膜からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Fターム (28件)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041FF01 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 発光素子用窒化物半導体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-217132   出願人：理化学研究所
• 窒化物化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-262169   出願人：昭和電工株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Isoelectric In-doping effect in GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition