特許
J-GLOBAL ID：200903099561144739
堆積膜の製造装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104669
公開番号（公開出願番号）：特開平8-277472
出願日： 1995年04月04日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】本発明は、膜厚、膜質の均一な大面積の成膜が可能な堆積膜の製造装置およびその製造方法、特に、a-Si系感光体における特性向上に不可欠ともいうべき大面積プラズマの均一化を達成し、その特性向上を実現し得る堆積膜の製造装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。【構成】本発明は上記目的を達成するために、成膜空間を有する反応容器内に少なくとも原料ガスと高周波電力を導入する手段を有し、前記反応容器内の基体上に堆積膜を形成するプラズマCVD法による堆積膜の製造装置において、前記高周波電力を導入する手段がその高周波電力の供給比率を調整することにより高周波電力を前記成膜空間内に均一に供給する高周波電力供給用電極により構成したものである。
請求項（抜粋）：
【請求項l】 成膜空間を有する反応容器内に少なくとも原料ガスと高周波電力を導入する手段を有し、前記反応容器内の基体上に堆積膜を形成するプラズマCVD法による堆積膜の製造装置において、前記高周波電力を導入する手段がその高周波電力の供給比率を調整することにより高周波電力を前記成膜空間内に均一に供給する高周波電力供給用電極により構成されていることを特徴とする堆積膜の製造装置。
IPC (5件)：
C23C 16/50
, G03G 5/08 105
, G03G 5/08 360
, H01L 21/205
, H05H 1/46
C23C 16/50
, G03G 5/08 105
, G03G 5/08 360
, H01L 21/205
, H05H 1/46 B
