特許

J-GLOBAL ID：200903099566087210

反応室のクリーニング方法及び装置

発明者： 豊田 一行 ,  田中 勉 ,  巻口 一誠 ,  佐藤 崇之
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-191942
公開番号（公開出願番号）：特開2001-020076
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：

【要約】【課題】 プラズマによる反応室内各部のダメージを軽減することができると共に、均一なクリーニングを可能にする。【解決手段】 反応室1の内部に処理ガスを導入し、該処理ガスを用いて基板3に対し成膜を行うプラズマCVD装置において、反応室1内にクリーニングガスを導入する導入管路15上にプラズマ生成ユニット14を設け、基板に対する成膜処理を行う空き時間に、プラズマ生成ユニット14で生成したプラズマによりクリーニングガスを活性化させ、該活性化させたクリーニングガスを反応室1内に導入して、反応室1内をクリーニングする。

請求項（抜粋）：

反応室の内部に処理ガスを導入し、該処理ガスを用いて被処理物に対し物理化学的処理を施す処理装置の前記反応室のクリーニング方法において、前記反応室内にクリーニングガスを導入する経路の反応室近傍にプラズマ生成ユニットを設け、前記被処理物に対する処理の空き時間に、前記プラズマ生成ユニットで生成したプラズマによりクリーニングガスを活性化させ、該活性化させたクリーニングガスを前記反応室内に導入して反応室内をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法。

IPC (5件)：

C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  C23C 14/00

FI (5件)：

C23C 16/44 J ,  C23F 4/00 Z ,  H01L 21/31 C ,  C23C 14/00 B ,  H01L 21/302 N

Fターム (33件)：

4K029DA09 ,  4K030DA06 ,  4K057DA20 ,  4K057DD01 ,  4K057DM04 ,  4K057DM28 ,  4K057DM33 ,  4K057DM37 ,  4K057DM39 ,  5F004AA01 ,  5F004AA06 ,  5F004AA15 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB12 ,  5F004BB13 ,  5F004BB29 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045AC02 ,  5F045BB14 ,  5F045EB03 ,  5F045EB06 ,  5F045EH18 ,  5F045EH20 ,  5F045EK05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体製造装置と半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-057868   出願人：株式会社東芝
• 特開昭55-145338
  
• プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-175090   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭55-145338