特許
J-GLOBAL ID：200903099567524487

半導体センサの製造方法

発明者：
山本 敏雅

山本 敏雅 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-202467
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017711
出願日： 2001年07月03日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板の空洞部上にメンブレン(薄膜構造部)を形成してなる半導体センサの製造方法において、空洞部形成用のマスクの膜応力を低減し、半導体基板の変形を極力抑制する。【解決手段】 マスクとして、減圧CVDまたは熱酸化により成膜されたシリコン酸化膜等の圧縮応力を有する膜と、減圧CVDにより成膜されたシリコン窒化膜等の引っ張り応力を有する膜との積層膜であって、その膜応力が500MPa以下の膜部材7を用いる。
請求項（抜粋）：
空洞部(1a)を有する半導体基板(1)の前記空洞部上に薄膜構造部(10)を形成してなる半導体センサの製造方法において、前記半導体基板の一面側に前記薄膜構造部を形成する第1の工程と、前記半導体基板の他面側に、前記半導体基板の他面を被覆しつつ前記空洞部を形成すべき部位に開口部を有するマスクを形成する第2の工程と、前記マスクが形成された前記半導体基板の他面側から前記半導体基板をエッチングすることにより、前記空洞部を形成する第3の工程とを備え、前記マスクとして膜応力が500MPa以下の膜部材(7)を用いることを特徴とする半導体センサの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/84 ,  G01F 1/692
FI (2件)：
H01L 29/84 B ,  G01F 1/68 104 C
Fターム (15件)：
2F035EA08 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA05 ,  4M112CA11 ,  4M112CA13 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA05 ,  4M112DA06 ,  4M112DA11 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112FA09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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