特許
J-GLOBAL ID：200903040334847478
半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小岩井 雅行 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-219564
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067686
出願日： 1997年08月14日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 高温熱処理が行われても、コンタクト抵抗の増大や拡散層の破壊が生じてしまうことがない密着層を有する半導体素子を、短時間、低コストで製造できる製造方法を提供する。【解決手段】 密着層を構成する窒化チタン層を、第1ないし第3の窒化チタン層104〜106の積層構造とし、第2の窒化チタン層105の形成時に用いる第2成膜条件を、第1、第3の窒化チタン層104,106の形成時に用いる第1成膜条件とは異なるものとすることによって、第2の窒化チタン層105のグレインが、第1(および第3)の窒化チタン層104のグレインよりも小さくなるようにする。この製造方法によれば、成膜条件を一時的に変更するだけで、グレインが不連続に成長した窒化チタン層が形成されるので、上記のような特性を有する半導体素子を、短時間、低コストで製造できることになる。
請求項（抜粋）：
コンタクトホールが開口された半導体素子基板に、拡散層と接した部分がシリサイド化したチタン層を形成するチタン層形成工程と、このチタン層形成工程により形成されたチタン層上に、第1成膜条件を用いた化学気相成長法により第1の窒化チタン層を形成する第1窒化チタン層形成工程と、この第1窒化チタン層形成工程により形成された第1の窒化チタン層上に、前記第1成膜条件とは異なる第1成膜条件を用いた化学気相成長法により前記第1の窒化チタン層よりも小さなグレインを有する第2の窒化チタン層を形成する第2窒化チタン層形成工程と、この第2窒化チタン層形成工程により形成された第2の窒化チタン層上に、前記第1成膜条件を用いた化学気相成長法により第3の窒化チタン層を形成する第3窒化チタン層形成工程と、この第3窒化チタン層形成工程により形成された第3の窒化チタン層上に、配線用の金属層を形成する配線金属層形成工程とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/28 301 T
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/88 R
, H01L 21/90 C
