半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：村井卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-077535
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330245
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】ホットウォール型加熱炉内で半導体ウェーハを処理する際の面内均一性を高めるとともに装置の長さ・高さの増大を抑える。【構成】蓄熱板10を予め熱処理温度に加熱し、その後1枚もしくは2枚のウェーハ8を蓄熱板10の対向面間にて蓄熱板10と対向させて熱処理する。

請求項（抜粋）：

ホットウォール型加熱炉内にて対向配列された1枚又は複数枚のウェーハを熱処理する半導体装置の製造方法において、複数の対向蓄熱板を予め熱処理温度に加熱し、その後、1枚もしくは2枚のウェーハを前記蓄熱板の対向面間にて該蓄熱板と対向させ前記熱処理温度にて熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/22 511 , H01L 21/205 , H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 21/22 511 A , H01L 21/205 , H01L 21/324 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

全件表示

前のページに戻る