特許
J-GLOBAL ID：200903099590512453
ヘテロ構造型電界効果トランジスタ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
和泉 良彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-142648
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326346
出願日： 2000年05月16日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：
【要約】【課題】すぐれた各種特性を有し、しかも長期安定性が極めて良好で信頼性の高いヘテロ構造型電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】ショットキー接合形成層(2)とキャリア供給層(3)を、それぞれの作用に適合した互いに異なる材料から構成して、良好なゲート特性とFETとしての長期安定性を両立させる。
請求項（抜粋）：
基板の表面上に形成されたチャネル層およびバリア層と、当該バリア層上の所定部分に形成されたゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を少なくとも有するヘテロ構造型電界効果トランジスタであって、上記バリア層は高抵抗のショットキー接合形成層と高濃度の不純物がドープされたキャリア供給層を含み、フェルミ準位は上記ゲート電極と上記ショットキー接合供給層の界面において伝導帯と価電子帯の中間若しくは当該中間より価電子帯に近いエネルギー位置にあり、上記ショットキー接合形成層およびキャリア供給層は上記チャネル層よりも伝導帯エネルギーが高く、上記キャリア供給層は不純物がドープされていないときのフェルミ準位と伝導帯のエネルギー差が、フェルミ準位と上記ショットキー接合形成層の伝導帯のエネルギー差よりも小さい材料の層からなることを特徴とするヘテロ構造型電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/201
H01L 29/80 H
, H01L 29/203
5F102FA00
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ06
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GL05
, 5F102GL08
, 5F102GM04
, 5F102GM07
, 5F102GM08
, 5F102GN05
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102GR09
, 5F102GT05
, 5F102HC01
