半導体装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-101195
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284360
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】配線巾の微細化と、高温プロセスの状況においてもタングステン配線の断線などの不良事例が発生しない信頼性が高い半導体装置を提供する。【解決手段】層間絶縁膜9上に第1層目配線16Aを配置する工程において、先にタングステンと格子構造が近似し、且つ融点の低いモリブデン膜16aを薄く凹状に堆積し、次にタングステン膜16bを凹を埋めて堆積し、表面を平坦化して再度モリブデン膜16aの順に積層する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板の上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の表面に形成されたモリブデンを主要元素とした第一の導電性膜と、前記第一の導電性膜の表面に形成されたタングステンを主要元素とした第二の導電性膜と、前記第二の導電性膜の表面に形成されたモリブデンを主要元素とした第二の導電性膜と、を備え、前記第一の導電性膜と、前記第二の導電性膜と、前記第三の導電性膜と、で積層配線を形成してなる半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 M , H01L 27/10 621 C

Fターム (58件)：

5F033HH09 , 5F033HH17 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033JJ04 , 5F033JJ17 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033KK09 , 5F033KK15 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033KK33 , 5F033MM08 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F033XX00 , 5F033XX10 , 5F033XX28 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA32 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083KA20 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA17 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR53 , 5F083PR54

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-230738
特開平2-044719
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-177267 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

前のページに戻る