特許
J-GLOBAL ID：200903099607609391
磁気メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-409246
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175012
出願日： 2003年12月08日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】 情報の記録に必要な電流量を低減し、少ない電力で動作可能な磁気メモリを提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層1を少なくとも有する磁気記憶素子と、この磁気記憶素子に磁場を印加する配線10とを有し、配線10の周囲に磁性体11が配置され、配線10の磁気記憶素子側に、硬質磁性体12が配置されている、又は、反強磁性体により磁化の向きが固定された磁性体が配置されている磁気メモリを構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を少なくとも有する磁気記憶素子と、
前記磁気記憶素子に磁場を印加する配線とを有し、
前記配線の周囲に磁性体が配置され、
前記配線の前記磁気記憶素子側に、硬質磁性体が配置されている、又は、反強磁性体により磁化の向きが固定された磁性体が配置されている
ことを特徴とする磁気メモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
