磁気メモリ

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松山允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-007877
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209226
出願日： 2002年01月16日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】書き込み配線の周囲に磁性材料からなる被覆層を設ける場合に、その磁化状態を制御することにより、電流磁場を効率的に記録層に印加することができる磁気メモリを提供することを目的とする。【解決手段】磁気記録層を有する磁気抵抗効果素子(C)と、前記磁気抵抗効果素子の上また下において第1の方向に延在する第1の配線(BL、WL)と、を備え、前記第1の配線に電流を流すことにより形成される磁界によって前記磁気記録層の磁化を所定の方向に変化させることにより情報を記録する磁気メモリであって、前記第1の配線は、その両側面の少なくともいずれかに磁性体からなる被覆層(SM)を有し、前記被覆層は、前記第1の配線の長手方向に沿って磁化が容易となる一軸異方性(M)を有することを特徴とする磁気メモリを提供する。

請求項（抜粋）：

磁気記録層を有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の上または下において第1の方向に延在する第1の配線と、を備え、前記第1の配線に電流を流すことにより形成される磁界によって前記磁気記録層に情報を記録する磁気メモリであって、前記第1の配線は、その両側面の少なくともいずれかに磁性体からなる被覆層を有し、前記被覆層は、前記第1の配線の長手方向に沿って磁化が容易となる一軸異方性を有することを特徴とする磁気メモリ。

IPC (4件)：

H01L 27/105 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (16件)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083JA02 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR03 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (5件)

センス層における磁化の混乱を防ぐ構造要素を有する磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-018564 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
磁気メモリ装置および磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-090768 出願人：株式会社東芝
メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-565541 出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト

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