紫外線を電力に変換する光電池及びその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127998
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324206
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】紫外線を電力に変換する半導体pn接合を利用した太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】エネルギーバンドギャップが3eV以上のpn接合を形成する半導体層からなり、銅アルミ酸化物、銅ガリウム酸化物、銅インジウム酸化物、銅クロム酸化物、銅スカンジウム酸化物、銅イットリウム酸化物、銀インジウム酸化物、ストロンチウム銅酸化物から選ばれるp型半導体層と、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、チタン酸ストロンチウム、酸化亜鉛、窒化ガリウム、銅インジウム酸化物から選ばれるn型半導体層を用いてpn接合を基板の上に形成し、p型層及びn型層に、リード線を設けたことを特徴とする光電池。

請求項（抜粋）：

エネルギーバンドギャップが3eV以上のpn接合を形成する半導体層からなり、銅アルミ酸化物、銅ガリウム酸化物、銅インジウム酸化物、銅クロム酸化物、銅スカンジウム酸化物、銅イットリウム酸化物、銀インジウム酸化物、ストロンチウム銅酸化物から選ばれるp型半導体層と、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、チタン酸ストロンチウム、酸化亜鉛、窒化ガリウム、銅インジウム酸化物から選ばれるn型半導体層を用いてpn接合を基板の上に形成し、p型層及びn型層に、リード線を設けたことを特徴とする光電池。

Fターム (8件)：

5F051AA10 , 5F051AA20 , 5F051CB13 , 5F051DA03 , 5F051FA03 , 5F051FA04 , 5F051GA03 , 5F051GA04

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-030000 出願人：ティーディーケイ株式会社, 川副博司
識別子付トークン
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-254725 出願人：株式会社三陽電機製作所
特開平4-325405

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引用文献：

審査官引用 (1件)

P-type electrical conduction in transparent thin films of CuAlO2

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