磁電変換素子およびそれを用いた磁気センサ、磁電変換素子の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133542
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330584
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】磁気抵抗膜上から、リードフレームが接続されるためのスペースを排し、小型化した磁電変化素子を提供する。【解決手段】絶縁基板11と、該絶縁基板11上に形成された磁気抵抗膜12と、該磁気抵抗膜12に形成された短絡電極13と、前記磁気抵抗膜12を覆う保護膜14と、電気信号取り出し用電極20とを含んでなる磁電変換素子10であって、前記電気信号取り出し用電極20が、前記保護膜14上に形成された端子電極21と、該端子電極21と磁気抵抗膜12とを導通させる接続電極22とからなる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された磁気抵抗膜と、該磁気抵抗膜に形成された短絡電極と、前記磁気抵抗膜を覆う保護膜と、電気信号取り出し用電極とを含んでなる磁電変換素子であって、前記電気信号取り出し用電極が、前記保護膜上に形成された端子電極と、該端子電極と磁気抵抗膜とを導通させる接続電極とからなることを特徴とする磁電変換素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , H01L 43/12

FI (3件)：

H01L 43/08 D , H01L 43/12 , G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁電変換素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-166217 出願人：株式会社村田製作所
特開平2-137382
半導体磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-198527 出願人：松下電器産業株式会社

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