特許
J-GLOBAL ID：200903084787006951
半導体磁気センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-198527
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045975
出願日： 1995年08月03日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、半導体磁気抵抗素子を利用した半導体磁気センサに関し、半導体抵抗膜、電極膜を保護することを目的とするものである。【構成】 本発明の半導体磁気センサは、基板1の表面に形成した半導体磁気抵抗膜2及び短絡電極3および半導体磁気抵抗膜の電気信号取り出し用の電極部4を、電極部4上のみを残して基板1上に形成した保護膜6により被覆したものである。
請求項（抜粋）：
基板の表面に形成した半導体磁気抵抗膜と、前記半導体磁気抵抗膜上に形成した短絡電極および電気信号取り出し用の電極部と、前記電極部のみを残して前記基板上に前記半導体磁気抵抗膜および短絡電極を覆うように形成した保護膜を備えた半導体磁気センサ。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/02
, G01R 33/09
H01L 43/08 Z
, G01R 33/02 N
, G01R 33/06 R
