特許
J-GLOBAL ID：200903099702790702
廃スラッジからのシリコンの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-167967
公開番号（公開出願番号）：特開2007-332001
出願日： 2006年06月16日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】例えば、シリコン結晶を切削加工する際に発生する、シリコン粒子と砥粒や有機物質などの不純物を含む廃スラッジなどから高純度のシリコンを確実にしかも効率よく製造することが可能な、シリコンの製造方法を提供する。【解決手段】(a)廃スラッジから磁力により磁性体を分離し、(b)磁性体を分離した廃スラッジを遠心分離して、シリコン粒子が分散したシリコン分散液と、沈降物質を含む沈降層とに分離し、(c)シリコン分散液に酸を添加して、シリコン分散液に含まれる金属不純物を溶解させ、(d)金属不純物を溶解させたシリコン分散液からシリコン粒子を分離し、(e)分離したシリコン粒子を洗浄して、シリコン粒子に付着した酸を含む付着液を除去し、(f)洗浄したシリコン粒子を熱処理して有機物質を除去し、(g)熱処理されたシリコン粒子を加熱溶融させ、(h)得られるシリコンインゴットを一方向凝固処理して高純度のシリコンを得る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン粒子と、シリコン粒子以外の粉末状無機物質と、磁性体不純物と、有機系不純物とを含有する廃スラッジから高純度のシリコンを製造する方法であって、
(a)廃スラッジから磁力により磁性体を分離する第1の磁性体分離工程と、
(b)前記第1の磁性体分離工程で磁性体を分離した廃スラッジを遠心分離することにより、シリコン粒子が分散したシリコン分散液と、沈降物質を含む沈降層とに分離する第1の遠心分離工程と、
(c)前記第1の遠心分離工程で分離したシリコン分散液に酸を添加して、シリコン分散液に含まれる金属不純物を溶解させる金属不純物溶解工程と、
(d)前記金属不純物溶解工程で金属不純物を溶解させたシリコン分散液からシリコン粒子を分離するシリコン粒子分離工程と、
(e)前記シリコン粒子分離工程で分離したシリコン粒子を洗浄して、シリコン粒子に付着した酸を含む付着液を除去する洗浄工程と、
(f)前記洗浄工程で洗浄したシリコン粒子を熱処理して、シリコン粒子に含まれる有機物質を除去する熱処理工程と、
(g)前記熱処理工程で熱処理された前記シリコン粒子を加熱溶融させる加熱溶融工程と、
(h)前記加熱溶融工程で溶融させたシリコンを凝固させることにより得られるシリコンインゴットを一方向凝固処理して、高純度のシリコンを得る一方向凝固精製工程と
を具備することを特徴とする、廃スラッジからのシリコンの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072HH40
, 4G072LL07
, 4G072MM03
, 4G072MM23
, 4G072MM36
, 4G072MM38
, 4G072RR12
, 4G072RR13
, 4G072RR21
, 4G072UU02
