半導体基板の処理方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-082757
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273120
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】銅または銅合金膜の塩素系ガスによるエッチング後において、残留塩素を効率良く除去し、かつ新たに銅塩化物が形成されても、その残留を防止し、また、銅の拡散防止層に不要なアンダーカットを生じることなく、酸化による配線抵抗の増加を低下させ、銅または銅合金膜の腐食発生を防止させる。【構成】シリコン基板12上に窒化チタン膜14,16に挟まれて形成された銅膜15を部分的にシリコン窒化膜17により被覆し、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより配線パターンを形成した後、引き続き、シリコン基板12を銅塩化物が揮発可能な温度(280°C)に加熱しながら、アンモニアガスによりプラズマ処理を行うことによって残留塩素が除去されてシリコン基板12を大気に曝しても、配線の腐食発生を防止する。

請求項（抜粋）：

被エッチング基板上に形成された銅または銅合金膜を部分的にマスク材料により被覆し、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより配線パターンを形成した後、前記被エッチング基板を銅塩化物が揮発可能な温度に加熱しながら、窒素水素化物ガスを主体としたガス系によりプラズマ処理を行うことを特徴とする銅または銅合金膜を有する半導体基板の処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3213 , H01L 21/3065 , H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/88 D , H01L 21/302 N , H01L 21/302 G , H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-273442
薄膜半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-308006 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-354133

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