特許

J-GLOBAL ID：200903099727705300

スパッタリング方法及び装置

発明者： 青倉 勇 ,  山本 昌裕 ,  末▲吉▼ 貴志 ,  大熊 崇文 ,  中嶋 誠二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-322997
公開番号（公開出願番号）：特開2003-129233
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2003年05月08日
要約：

【要約】【課題】 スパッタリング法による薄膜形成工程において、薄膜形成開始時は、所望の膜厚及び膜質分布が得られていたものが、薄膜形成が進行するにつれて、ターゲットが序々に浸食され、本来設定した膜厚及び膜質分布を得られなくなる。特に、狭ギャップ下での膜形成を必要とする場合、その影響は顕著に現れ、本来得られるべき膜の機能が得られ難くなる傾向にある。【解決手段】 移動可能でターゲットに対向して接地された防着板を設けることで、ターゲット使用開始時はもとより、ターゲットがある程度使用された場合においても、安定的に高品質な膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

真空容器内にガスを供給しつつ排気し、所定の圧力に制御しながら、ターゲットを載置するスパッタリング電極に高周波或いは直流電力を印加することで、真空容器内にプラズマを発生させ、前記ターゲットに対向して配設された基板を処理するスパッタリング方法であって、前記基板の周辺に配設され、ターゲットに対向するように設けられた防着板を移動させながら前記基板を処理することを特徴とするスパッタリング方法。

FI (2件)：

C23C 14/34 S ,  C23C 14/34 T

Fターム (6件)：

4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DA10 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029EA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• スパッタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-216275   出願人：山形日本電気株式会社
• 薄膜形成装置およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-317646   出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社