特許
J-GLOBAL ID：200903099735067275
小型磁電変換素子とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-016958
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214766
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 樹脂で完全に覆われ、かつ極めて小さな投影面積を可能とする新しい構造の磁電変換素子を提供する。【解決手段】 基板上に形成された磁気を感ずる半導体薄膜と内部電極を備えた半導体装置を有する磁電変換素子である。内部電極の上に導電性物体が形成されており、かつ磁電変換素子は導電性物体の少なくとも一部を除いて樹脂により完全に覆われており、前導電性物体の樹脂に覆われずに露出している部分が外部電極となっている。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された磁気を感ずる半導体薄膜と内部電極を備えた半導体装置を有する小型磁電変換素子において、前記内部電極の上に導電性物体が形成されており、かつ前記磁電変換素子は前記導電性物体の少なくとも一部を除いて樹脂により完全に覆われており、前記導電性物体の前記樹脂に覆われずに露出している部分が外部電極となっていることを特徴とする磁電変換素子。
引用特許：
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