特許
J-GLOBAL ID：200903099740496460
バンプ電極形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-154275
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004098
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：
【要約】【課題】レジストのホト穴に埋設されてその表面にはんだバンプが堆積形成されるバンプ電極からレジストを剥離除去する際に、はんだバンプとして堆積形成するはんだ量に拘わらずレジスト残渣の発生を抑制する。【解決手段】ウェハ上1に塗布したレジスト6の所定部分にホト穴を形成し、該形成したホト穴にバンプ電極7を埋設するとともに、この埋設したバンプ電極7の表面にはんだバンプ8をメッキ形成する。そして、このメッキ形成したはんだバンプ8を熱処理によってリフローした後、レジスト剥離液を用いてレジスト6を剥離除去する。このような手順を採用することにより、メッキされたはんだがレジスト6の表面に張り出していても、該リフローによるはんだ自身の表面張力によってその張り出している部分が引き上げられ、レジスト6の剥離除去に際しその全面にレジスト剥離液が接触するようになる。
請求項（抜粋）：
ウェハ上に設けたレジストの所定部分にホト穴を形成し、該形成したホト穴にバンプ電極を埋設するとともに、この埋設したバンプ電極の表面にはんだバンプを堆積形成した後、前記レジストを剥離除去してバンプ電極を形成するバンプ電極形成方法において、前記バンプ電極の表面に堆積形成したはんだバンプを熱処理によってリフローした後、前記レジストを剥離除去するようにしたことを特徴とするバンプ電極形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 Q
