特許
J-GLOBAL ID:200903099753392205
電気素子内蔵配線基板
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-054000
公開番号(公開出願番号):特開2001-244368
出願日: 2000年02月29日
公開日(公表日): 2001年09月07日
要約:
【要約】【課題】絶縁基板内部に電気素子を内蔵してなる配線基板において、基板表面に半導体素子などをフリップチップ実装可能であって、内蔵された電気素子と配線基板に設けられた配線回路層との接続信頼性に優れ、電気素子による機能を損なわない電気素子内蔵配線基板を得る。【解決手段】絶縁基板1の表面および/または内部に配線回路層8を形成してなり、絶縁基板1内に電気素子3を内蔵してなる配線基板Aであって、絶縁基板1が、熱硬化性樹脂と無機フィラーとの混合物からなる第1の絶縁層1aと、繊維体中に熱硬化性樹脂を含浸してなる第2の絶縁層1bとの積層構造体からなり、コンデンサ素子などの電気素子3を第1の絶縁層1a内に内蔵してなるとともに、第2の絶縁層1bを絶縁基板1の最表面に配置する。
請求項(抜粋):
絶縁基板の表面および/または内部に配線回路層を形成してなり、前記絶縁基板内に電気素子を内蔵してなる配線基板であって、前記絶縁基板が、熱硬化性樹脂と無機フィラーとの混合物からなる第1の絶縁層と、繊維体中に熱硬化性樹脂を含浸してなる第2の絶縁層との積層構造体からなり、前記第1の絶縁層中に電気素子を内蔵してなるとともに、前記第2の絶縁層を前記絶縁基板の最表面に配置し、且つ前記電気素子と前記第1の絶縁層との熱膨張差が7×10-6/°C以下であることを特徴とする電気素子内蔵配線基板。
IPC (3件):
H01L 23/12
, H01L 25/00
, H05K 3/46
FI (5件):
H01L 25/00 B
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 Q
, H05K 3/46 T
, H01L 23/12 B
Fターム (27件):
5E346AA02
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA25
, 5E346AA29
, 5E346AA35
, 5E346AA42
, 5E346BB11
, 5E346CC02
, 5E346CC05
, 5E346CC09
, 5E346CC32
, 5E346CC42
, 5E346CC43
, 5E346DD02
, 5E346DD12
, 5E346EE09
, 5E346EE13
, 5E346FF18
, 5E346FF27
, 5E346GG02
, 5E346GG15
, 5E346HH05
, 5E346HH07
, 5E346HH22
, 5E346HH24
, 5E346HH31
引用特許:
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