薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法およびこの方法により製造された薄膜エピタキシャルウェーハ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安倍逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-282747
公開番号（公開出願番号）：特開平11-100299
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】デバイス製造の低温化に対応して、COPが少なく電気的特性が良好な減圧・低温エピタキシャル成長を実現する。歩留り向上、ウェーハの大口径化へ対応する。【解決手段】単結晶シリコン基板の表面を水素終端処理(SC1→希HF処理)後、800〜950°CでH2アニールする。次に、単結晶シリコン基板上にH2アニール温度以下で0.5μm以上のエピタキシャル層を減圧エピタキシャル成長させる。エピタキシャル層表面の残留COPが低減し、かつ得られたウェーハは良好な電気的特性となる減圧・低温エピタキシャル成長を実現できる。したがって、ユーザ側でのデバイスの低温製造に対応した低温製造の薄膜エピタキシャルウェーハを製造でき、ウェーハの歩留りの向上も図れ、さらにウェーハの大口径化にも対応できる。

請求項（抜粋）：

CZ法のインゴット引き上げに基づいて作製された単結晶シリコン基板の表面を水素終端処理し、次いでこの水素終端処理された単結晶シリコン基板を、H2ガスを流しながら安定化時間の炉内温度が800〜950°Cで加熱処理し、その後、この単結晶シリコン基板の表面に、厚さ0.5μm以上のエピタキシャル層を、減圧下で、かつこのH2アニール時の温度以下でエピタキシャル成長させる薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 504 , C30B 33/02 , H01L 21/20 , H01L 21/205

FI (4件)：

C30B 29/06 504 F , C30B 33/02 , H01L 21/20 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-140925
特開平4-370923
特開平3-110831

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