特許
J-GLOBAL ID：200903099779334661
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-347798
公開番号（公開出願番号）：特開2004-185658
出願日： 2002年11月29日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】書き込み回数及び書き込み時間を増加することなく、メモリセルに所定の閾値電圧を設定することが困難であった。【解決手段】ステップアップ書き込みを行う不揮発性半導体記憶装置であって、1回目の書き込み動作から2回目の書き込み動作への1回目の書き込み電圧増加量は、2回目の書き込み動作から3回目の書き込み動作への2回目の書き込み電圧増加量より大きく、2回目以降の書き込み電圧増加量は一定であることを特徴とする。この書き込み方法を用いることにより、全ての書き込み動作終了後、メモリセルの閾値電圧の分布幅を小さくすることができる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
制御ゲートと電荷蓄積層を有する電気的書き換え可能な複数の不揮発性半導体メモリセルをマトリクス状に配列して構成されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイ内の選択されたメモリセルの制御ゲートに書き込み電圧を複数回印加してデータを書き込む書き込み回路と、
前記選択されたメモリセルに接続され、前記書き込み電圧の発生毎に前記メモリセルの閾値電圧を検出し、当該閾値電圧が所定の値に達しているか否かを検証する検証回路とを有し、
前記書き込み回路から出力される前記書き込み電圧は、書き込み回数毎に増加され、1回目の書き込み動作から2回目の書き込み動作への1回目の書き込み電圧増加量は、2回目の書き込み動作から3回目の書き込み動作への2回目の書き込み電圧増加量より大きく、且つ、2回目以降の書き込み電圧増加量は一定であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C17/00 611E
, G11C17/00 611A
, G11C17/00 622E
