特許
J-GLOBAL ID：200903099786737933

ドライエッチング方法及び装置

発明者：
田島 大輔

田島 大輔 について

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西澤 孝則

西澤 孝則 について

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笹野 宏樹

笹野 宏樹 について

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松尾 仁

松尾 仁 について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-211889
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040697
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 ポリシリコン層及びWメタル層を有するシリコンウェハに対して、ポリシリコン層の表面を荒らすことなく、垂直形状特性に優れた異方性ドライエッチングを可能とする新規な方法及び装置を提供すること。【解決手段】 本発明によるドライエッチング方法は、ポリシリコン層3とWメタル層4とを有するシリコンウェハ1を反応容器12内のサセプタ18上に配置し、反応容器内を減圧する。次いで、反応容器内にNF3ガス及びCl2ガスから成る反応性ガスを供給してプラズマを形成し、メタル層をエッチングする。このエッチングが終了した後に、反応容器内のガスを切り替えて、ポリシリコン層をエッチングする。NF3ガス及びCl2ガスは、ポリシリコンに対するWの選択比が0.5以上であり、ポリシリコン層の表面を荒らすことなく、メタル層のオーバーエッチングを十分に行うことができる。
請求項（抜粋）：
ポリシリコン層と、その上に形成されたバリアメタル層及びタングステン層を含むメタル層とを有する被処理基板を反応容器内のサセプタ上に配置する第1のステップと、前記反応容器内を所定の圧力に減圧する第2のステップと、前記サセプタに負のバイアス電力を印加する第3のステップと、前記反応容器内にNF3ガスを含む第1の反応性ガスを供給すると共に、前記反応容器内にプラズマを形成して、前記メタル層をエッチングする第4のステップと、前記第4のステップの終了後に、前記反応容器内のガスを排気して前記反応容器内に第2の反応性ガスを供給すると共に、前記反応容器内にプラズマを形成して、前記ポリシリコン層をエッチングする第5のステップとを含むドライエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205
FI (4件)：
H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/88 Q
Fターム (51件)：
4K057DA11 ,  4K057DA12 ,  4K057DB06 ,  4K057DB08 ,  4K057DB11 ,  4K057DB12 ,  4K057DB15 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE09 ,  4K057DE11 ,  4K057DE20 ,  4K057DG07 ,  4K057DG12 ,  4K057DJ03 ,  4K057DN01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB30 ,  4M104BB33 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD72 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104HH04 ,  4M104HH20 ,  5F004BA06 ,  5F004BC02 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004CB02 ,  5F004CB15 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB12 ,  5F004EA07 ,  5F033AA02 ,  5F033AA03 ,  5F033BA02 ,  5F033BA15 ,  5F033BA25 ,  5F033CA04 ,  5F033EA25 ,  5F033EA33
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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