成膜方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302428
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162448
出願日： 1994年12月06日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】酸素含有ガス中での加熱による被成膜基板表面の酸化により或いは反応ガスの化学気相反応による酸化物の生成により被成膜基板上に酸化膜を形成する成膜方法に関し、成膜速度が速く、かつ酸化膜中の酸素濃度を高くする。【構成】被成膜基板21の表面に磁場を形成した状態で酸素を含むガスに被成膜基板21の表面を曝し、被成膜基板21の加熱により被成膜基板21の表面を酸化して酸化膜22を形成する。

請求項（抜粋）：

被成膜基板の表面に磁場を形成した状態で酸素を含むガスに前記被成膜基板の表面を曝し、前記被成膜基板の加熱により前記被成膜基板の表面を酸化して酸化膜を形成する成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 14/35 , H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭62-104125
特開昭60-184670
特開平4-273440

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