特許
J-GLOBAL ID:200903099816548359

複数の抑制メッシュを備えたリトグラフ投影装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  森 徹 ,  岩本 行夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-391724
公開番号(公開出願番号):特開2005-005666
出願日: 2003年11月21日
公開日(公表日): 2005年01月06日
要約:
【課題】パターン形成された放射線投影ビームを基体の対象箇所に結像する投影系を備え、放射線投影ビームの進路内に正電圧を印加される遮蔽手段が配置されたリトグラフ投影装置において、例えば、遮蔽手段における大電力消費やメッシュの加熱の問題、および高電圧大電流の供給が必要でガス放電の可能性があるなどの欠点を解消するために、遮蔽手段に達する自由電子の個数を減少させて電界を抑制できるようにすることを目的とする。【解決手段】本発明は、放射線投影ビーム(57)の進路内に配置された遮蔽手段(41)が、作動時に放射源(6)の放出する正荷電粒子の少なくとも一部を遮断するための電位バリヤを形成するように正電圧を供給されるリトグラフ投影装置(1)にあって、放射線投影ビームの進路内で遮蔽手段の少なくとも片側に第二の遮蔽手段を配置して、負電荷粒子を第一の遮蔽手段から排斥するために負電圧を二の遮蔽手段に印加して、自由電子の個数の減少および電界の抑制を達成することを特徴とする。【選択図】図4
請求項(抜粋):
放射源の放射する放射線から放射線投影ビームを形成する放射系と、 前記投影ビームをパターン化するために、その投影ビームで照射されるようにパターン形成手段を保持するように構成された支持構造と、 基体を保持するように構成された基体テーブルと、 基体の対象箇所にパターン形成手段の照射部分を結像するように構成されて配置された投影系と、 放射源と正に帯電した粒子から遮蔽されるべき物体との間の放射線投影ビームの進路内に配置される第一の遮蔽手段とを含み、 第一の遮蔽手段は放射線投影ビームに対して実質的に透過性であり、正に帯電した粒子の少なくとも一部を遮断するためのポテンシャル障壁を形成するように、正電圧が第一の遮蔽手段に印加されるリトグラフ投影装置であって、 放射線投影ビームの進路内で第一の遮蔽手段の少なくとも片側に第二の遮蔽手段を配置し、負に帯電した粒子を第一の遮蔽手段から排斥するために負電圧が第二の遮蔽手段に印加されることを特徴とするリトグラフ投影装置。
IPC (6件):
H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G21K3/00 ,  G21K5/00 ,  G21K5/02 ,  H05G2/00
FI (7件):
H01L21/30 531A ,  G03F7/20 521 ,  G21K3/00 Y ,  G21K5/00 A ,  G21K5/00 Z ,  G21K5/02 X ,  H05G1/00 K
Fターム (7件):
4C092AA07 ,  4C092AB10 ,  4C092AB17 ,  4C092AC09 ,  5F046GA03 ,  5F046GB07 ,  5F046GC03
引用特許:
審査官引用 (8件)
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