特許
J-GLOBAL ID：200903099817263196
シリコンウェーハの熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-025468
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231726
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハとの接触等によるスリップ、パーティクルの発生、並びにそれに伴うウェーハの欠陥発生を防止して、水素又はアルゴン雰囲気中で高温熱処理することが可能なシリコンウェーハの熱処理方法。【解決手段】 シリコンを基材とした熱処理用ボート表面に所要厚みのSiO2膜を設けることにより、比較的柔らかいSiO2膜が緩衝材の機能を果たしてスリップを抑制でき、このボートをウェーハ表面近傍の結晶欠陥を低減することが可能な水素またはアルゴン雰囲気中での高温熱処理に適用することでデバイス特性の優れたウェーハを提供できる。
請求項（抜粋）：
単結晶又は多結晶シリコンを基材とし、少なくともシリコンウェーハと接触予定表面に酸化膜を形成させた熱処理用ボートを用い、これに載置したシリコンウェーハを水素又はアルゴンあるいはその混合雰囲気で1050°C以上の温度領域に30min以上保持するシリコンウェーハの熱処理方法。
引用特許：
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