特許

J-GLOBAL ID：200903099887408507

接合型トランジスタ

発明者： 上野山 雄 ,  出口 正洋
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-243844
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057323
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】 耐圧が大きく電力損失の小さい高出力パワートランジスタとして機能する接合型トランジスタを提供する。【解決手段】 電子を供給するためのエミッタ層としてn-GaN層12を設け、電子を表面側に移動させる電子移動層としてノンドープ(真性)でAl含有比xについて傾斜組成を有するAlx Ga1-x N層13(0≦x≦1)を設け、表面層として負の親和力(NEA)を有するノンドープのAlN層14を設け、AlN層14の上方に制御電極16及び収集電極21を設ける。制御電極16と収集電極との間に、AlN層14よりも電子親和力の大きい材料からなる絶縁体層20を介在させる。これにより、AlN層14から注入された電子が絶縁体層20の伝導帯を伝導して収集電極21に達するように構成された接合型トランジスタが得られる。

請求項（抜粋）：

電子を供給するためのエミッタ層と、上記エミッタ層上に設けられ、供給される電子の移動が可能に構成された電子移動層と、上記エミッタ層から上記電子移動層への電子供給量を制御する電圧を印加するための制御電極と、上記エミッタ層から供給された電子の少なくとも一部を集めるための収集電極と、上記制御電極と収集電極との間に介在し、上記電子移動層の上記制御電極に隣接する側の端部の電子親和力と同等あるいはより大きい電子親和力を有する絶縁体層とを備え、上記電子移動層から上記絶縁体層に注入された電子が上記絶縁体層の伝導帯を伝導して上記収集電極に到達するように構成されていることを特徴とする接合型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/80

FI (3件)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/80 V ,  H01L 29/80 A

Fターム (13件)：

5F102FA01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL16 ,  5F102GR09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-077455   出願人：日本電信電話株式会社
• 量子細線及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-208790   出願人：株式会社日立製作所
• トンネルトランジスタ及び記憶回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-320200   出願人：日本電気株式会社
• 高移動度トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-057069   出願人：古河電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Electron Emission from Graded AlxGa1-xN/GaN Negative-Electron-Affinity Cold Cathodes