特許
J-GLOBAL ID：200903099916882485
スピンバルブ型薄膜素子およびそのスピンバルブ型薄膜素子を備えた薄膜磁気ヘッド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019121
公開番号（公開出願番号）：特開2000-215423
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 フリー磁性層125の磁化方向を意図した方向に揃えやすく、バルクハウゼンノイズの発生を低減できるスピンバルブ型薄膜素子を提供すること。【解決手段】 反強磁性層122は、X-Mn(但しXは、Pt、Pd、Ru、Ir、Rhから選択される1種の元素を示す)又はX’-Pt-Mn(但しX’は、Pd、Cr、Ru、Ni、Ir、Rh、Au、Agから選択される1種又は2種以上の元素を示す)の式で示される合金からなり、ハードバイアス層126は、 基板K側からフリー磁性層125、非磁性導電層124、固定磁性層123、反強磁性層122の順で積層された積層体a1の両側に形成され、積層体a1の側面b1に乗り上げる傾斜部126bと、前記フリー磁性層125とほぼ平行でフリー磁性層125の膜厚方向にその膜厚より大きな膜厚とされ、フリー磁性層125と同じ階層位置に配置された平坦部126aとを有するものとする。
請求項（抜粋）：
反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層と、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交差する方向へ揃えるためのハードバイアス層と、前記固定磁性層と前記非磁性導電層とフリー磁性層とに検出電流を与える導電層とを基板上に有するスピンバルブ型薄膜素子であり、前記反強磁性層は、X-Mn(ただし、Xは、Pt、Pd、Ru、Ir、Rhのうちから選択される1種の元素を示す。)の式で示される合金またはX’-Pt-Mn(ただし、X’は、Pd、Cr、Ru、Ni、Ir、Rh、Au、Agのうちから選択される1種または2種以上の元素を示す。)の式で示される合金からなり、前記ハードバイアス層は、基板側から前記フリー磁性層と、前記非磁性導電層と、前記固定磁性層と、前記反強磁性層とをこれらの順で具備してなる断面台形状の積層体の両側に形成され、前記積層体の側面に乗り上げる傾斜部と、前記フリー磁性層とほぼ平行で、前記フリー磁性層の膜厚方向に前記フリー磁性層の膜厚よりも大きな膜厚とされ、前記フリー磁性層と同じ階層位置に配置された平坦部とを有するものであることを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子。
Fターム (6件)：
5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034BA11
, 5D034BA16
, 5D034CA04
, 5D034CA08
