特許

J-GLOBAL ID：200903099931055633

半導体素子の製造方法

発明者： 宇佐見 隆志 ,  ▲吉▼丸 正樹 ,  下川 公明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-050745
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259297
出願日： 1992年03月09日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体素子における層間絶縁膜、それが特にO3 TEOS酸化膜である場合の形成方法に関するもので、その絶縁膜を形成する際、下地の層の影響を受けて異常成長するような問題点を解消することを目的とするものである。【構成】 前記目的達成のため本発明は、前記絶縁膜3を形成する前に、その下地として窒素を含む層5あるいは6を形成しておくようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体素子における層間絶縁膜を形成する際、該層間絶縁膜形成の前に、該層間絶縁膜の下地となる層に窒素原子を導入するか、あるいは窒素原子を含む絶縁膜を形成しておくことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-094539
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-012820   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-055872   出願人：ソニー株式会社