特許
J-GLOBAL ID：200903099951198511

半導体光素子及びその製造方法

発明者：
土屋 朋信

土屋 朋信 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-268421
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078213
出願日： 2001年09月05日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】 Znを用いた有機金属気相成長法を用いて、Zn濃度の増大とZn拡散の低減を両立し、数nmの急峻なZnプロファイルを有する変調ド-プ多重量子井戸構造を実現する。【解決手段】 InGaAlAs系4元混晶を用い、Zn濃度と結晶組成の範囲を各InGaAlAs組成でZn拡散が急激に発生する臨界濃度以下となす。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上部に、第1の半導体層とこの第1の半導体層より禁制帯幅の大きい第2の半導体層とを有する量子井戸構造の活性層領域を有し、前記量子井戸構造の前記第2の半導体層は4元系混晶のInGaAlAsからなり、且つ前記第2の半導体層がZnを含有する変調ドーピングがなされていることを特徴とする半導体光素子。
Fターム (10件)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073CA15 ,  5F073CB02 ,  5F073CB13 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073EA25
引用特許：
審査官引用 (3件)

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