変調ドープ多重量子井戸半導体レーザ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長門侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-251183
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082862
出願日： 1998年09月04日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】井戸層における内部損失が起こらず、しきい値電流も低下する変調ドープ多重量子井戸半導体レーザを提供する。【解決手段】圧縮歪みを有する井戸層Aと引張り歪みを有する障壁層Bとのヘテロ接合構造から成る多重量子井戸構造Dを有し、井戸層Aはノンドープの半導体材料から成り、障壁層Bは井戸層Aにヘテロ接合する層1(B1)とそれら層1(B1)の間にヘテロ接合して介装された層2(B2)との層構造を有し、層1(B1)は井戸層Aの半導体材料よりもバンドギャップ波長が短いノンドープの半導体材料1から成り、層2(B2)は半導体材料1よりもバンドギャップ波長が短い半導体材料2から成り、かつ半導体材料2にはp型またはn型のドーパントCが変調ドーピングされている変調ドープ多重量子井戸半導体レーザ。

請求項（抜粋）：

圧縮歪みを有する井戸層と引張り歪みを有する障壁層とのヘテロ接合構造から成る多重量子井戸構造を有し、前記井戸層はノンドープの半導体材料から成り、前記障壁層は前記井戸層にヘテロ接合する層1と前記層1の間にヘテロ接合して介装された層2との層構造を有し、前記層1は前記井戸層の半導体材料よりもバンドギャップ波長が短いノンドープの半導体材料1から成り、前記層2は前記半導体材料1よりもバンドギャップ波長が短い半導体材料2から成り、かつ前記半導体材料2にはp型またはn型のドーパントが変調ドーピングされていることを特徴とする変調ドープ多重量子井戸半導体レーザ。

Fターム (8件)：

5F073AA11 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073CA06 , 5F073CA12 , 5F073CA15 , 5F073EA14 , 5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体レーザおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-265964 出願人：松下電器産業株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-267684 出願人：富士通株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-096918 出願人：株式会社日立製作所

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