半導体レーザ装置

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：平木祐輔 , 渡辺敏章 , 早川康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-184477
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019804
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】高いビーム品質で高強度のレーザ光を出力することのできる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】面発光レーザ21が2次元アレイ状に配列した面発光レーザチップ13からの出射光を集光レンズ15によって集光して高強度レーザ光を発生する。集光レンズ15の面発光レーザに対向する面に反射鏡16を備えることにより、各面発光レーザ21の発振モード選択してシングルモード化し、高出力にする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

複数の面発光レーザを2次元的に配列した面発光レーザアレイと、前記面発光レーザアレイからの出射光を集光する単一の集光レンズとを含み、前記集光レンズは、前記面発光レーザアレイに対向する面に反射鏡を備えることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S5/42 , H01S5/022 , H01S5/183

FI (3件)：

H01S5/42 , H01S5/022 , H01S5/183

Fターム (12件)：

5F073AA72 , 5F073AB04 , 5F073AB17 , 5F073AB27 , 5F073AB29 , 5F073BA09 , 5F073CA03 , 5F073CB02 , 5F073CB07 , 5F073EA24 , 5F073FA08 , 5F073FA14

引用特許：

審査官引用 (7件)

VCSEL光源のアレイを備える、版に画像を形成する装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-065705 出願人：ハイデルベルガードルツクマシーネンアクチエンゲゼルシヤフト
面型光増幅素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-029380 出願人：工業技術院長
窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-126455 出願人：日亜化学工業株式会社

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