特許
J-GLOBAL ID：200903099995671869

多孔薄膜堆積基板、その製造方法及びスイッチング素子

発明者：
藤本 潔

藤本 潔 について

, 
中村 雅一

中村 雅一 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 飯田 敏三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-271184
公開番号（公開出願番号）：特開2007-087974
出願日： 2005年09月16日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】孔径、孔の密度が自由に制御でき、安価で簡便であり、有機化合物半導体にも適用が可能な低温で製造される、多孔薄膜堆積基板を提供する。さらには、この方法により得られた多孔薄膜堆積基板を利用して、均一で十分に小さいゲート孔を有し、動作電圧が低く、周波数特性にすぐれ、スイッチング特性が良好なスイッチング素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】表面に静電荷を有する基板表面上に、前記基板表面の静電荷と逆の表面静電荷を付与した微粒子を設置させ、該微粒子設置基板上に少なくとも1層の薄膜を堆積した後、該微粒子を除去し、前記基板上に微細多孔を形成することを特徴とする多孔薄膜堆積基板。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面に静電荷を有する基板表面上に、前記基板表面の静電荷と逆の表面静電荷を付与した微粒子を設置させ、該微粒子設置基板上に少なくとも1層の薄膜を堆積した後、該微粒子を除去し、前記基板上に微細多孔を形成することを特徴とする多孔薄膜堆積基板の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 29/80 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/41 ,  B82B 1/00
FI (8件)：
H01L29/80 V ,  H01L21/28 E ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/44 P ,  B82B1/00
Fターム (62件)：
4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD21 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD61 ,  4M104DD68 ,  4M104FF11 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG11 ,  4M104GG14 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GL01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102HC11 ,  5F102HC30 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC10 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM