研究者
J-GLOBAL ID:201001082673435659
更新日: 2020年08月31日
岡田 竜弥
オカダ タツヤ | Tatsuya Okada
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所属機関・部署:
琉球大学 工学部 電気電子工学科
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職名:
助教
ホームページURL (2件):
http://www.cc.u-ryukyu.ac.jp/~tokada
,
http://www.cc.u-ryukyu.ac.jp/~tokada
研究分野 (2件):
薄膜、表面界面物性
, 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (4件):
急速熱処理
, 薄膜半導体
, Rapid Thermal Annealing
, Thin Film Semiconductor
MISC (54件):
Yi Chen, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Fulvio Mazzamuto, Karim Huet. Excimer laser annealing for low-voltage power MOSFET. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016. 55. 8. 0865003
Yi Chen, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Fulvio Mazzamuto, Karim Huet. Excimer laser annealing for low-voltage power MOSFET. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016. 55. 8. 0865003
Yi Chen, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi. An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Power MOSFETs. IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS. 2016. E99C. 5. 516-521
Yi Chen, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi. An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Power MOSFETs. IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS. 2016. E99C. 5. 516-521
Jin-Kuk Kim, So-Hyun Jeong, Sang-A Oh, Seung-Jae Moon, Kimihiko Imura, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Eui-Jung Yun, Byung Seong Bae. Electrical Characteristics of a-IGZO TFTs With SiO2 Gate Insulator Prepared by RF Sputtering. JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY. 2016. 12. 3. 268-272
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講演・口頭発表等 (268件):
青色半導体レーザアニール中のポリイミド上Si膜の温度解析
(第63回応用物理学会春季学術講演会 (東工大, 2016年3月19-22日) 2016)
n+p接合太陽電池に対する水素アニールの最適化
(第63回応用物理学会春季学術講演会 (東工大, 2016年3月19-22日) 2016)
スパッタSi膜へのマルチショットELAとメタルソース・ドレイン構造TFT
(第63回応用物理学会春季学術講演会 (東工大, 2016年3月19-22日) 2016)
低コストのCMOSを目指した金属ソース・ドレイン電極によるpチャネル型TFTの実現
(第63回応用物理学会春季学術講演会 (東工大, 2016年3月19-22日) 2016)
急速熱処理したInSb膜の電気的特性
(第63回応用物理学会春季学術講演会 (東工大, 2016年3月19-22日) 2016)
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学位 (2件):
博士(工学) (広島大学)
修士(工学) (広島大学)
経歴 (2件):
2009/04/01 - - , 琉球大学 工学部 電気電子工学科 電子物性工学講座
2009/04/01 - - , University of the Ryukyus, Faculty of Engineering, Electrical and Electronics Engineering, Electronics and Electronic Materials,
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