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J-GLOBAL ID：201602247699397623   整理番号：16A1227142

低電圧電力MOSFETにおけるレーザアニーリングプロセスの応用

An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Power MOSFETs

著者 (3件)： CHEN Yi (University of the Ryukyus) ,  OKADA Tatsuya (University of the Ryukyus) ,  NOGUCHI Takashi (University of the Ryukyus)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E99.C  号： 5  ページ： 516-521(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能低電圧電力MOSFET(金属 酸化物 半導体 電界効果型トランジスタ)のP型ベース接合を形成するために用いられる,レーザアニーリングプロセスの応用について報告した。パルスモードの緑色レーザアニーリングを用いることにより,均一な不純物分布を持つP-ベース接合のための等価的に浅い接合構造を得た。従来の固相のRTA(急速熱アニーリング)よりも高い不純物活性化を,液相のレーザアニーリングにより達成した。また,低電圧U-MOSFETの製造プロセスにおけるレーザアニーリング技術の応用を試みた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *電力トランジスタ ,  半導体接合 ,  半導体素子 ,  半導体プロセス ,  *レーザアニーリング ,  可視レーザ ,  緑 ,  パルスレーザ照射 ,  浅い接合 ,  グリーンレーザ
準シソーラス用語： *レーザアニール ,  *電力MOSFET ,  半導体製造プロセス ,  緑色レーザー

著者キーワード (4件)： power MOSFETs ,  laser annealing ,  shallow junction ,  electrical characteristics

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (17件)：

• [1] B.J. Baliga, “Vertical Field Effect Transistors having improved Breakdown Voltage Capability and Low On-state Resistance,” U.S. Patent # 5,637,898, Issued June 10, 1997.
• [2] L. Lorenz, G. Deboy, A. Knapp, and M. Marz, “COOLMOS-A New Milestone in High Voltage Power MOS,” IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, pp.3-10, 1999.
• [3] B.J. Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices (Springer, 2008).
• [4] C. Ortolland, et al, “Optimized ultra-low thermal budget process flow for advanced High-K/Metal gate first CMOS using laser-annealing technology,” VLSI Technology, 2009 Symposium on, pp.38-39, 2009
• [5] T. Noguchi, T. Nishinohara, J.D. Mugiraneza, K. Shirai, T. Okada, and T. Itoh, “Crystallization of amorphous silicon films on flexible glass by Blue-Multi-Diode-Laser Anealing as a new LTPS,” SID Symposium Digest of Technical Papers, vol.43, no.1, pp.1129-1132, 2012.

タイトルに関連する用語 (5件)： 低電圧 ,  電力MOSFET ,  レーザアニーリング ,  プロセス ,  応用