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J-GLOBAL ID：201702291705767562   整理番号：17A1221117

低電圧電力MOSFET用エキシマレーザアニーリング

Excimer laser annealing for low-voltage power MOSFET

著者 (5件)： CHEN Yi (Univ. the Ryukyus, Okinawa, JPN) ,  OKADA Tatsuya (Univ. the Ryukyus, Okinawa, JPN) ,  NOGUCHI Takashi (Univ. the Ryukyus, Okinawa, JPN) ,  MAZZAMUTO Fulvio (LASSE-SCREEN Semiconductor Solutions, Gennevilliers, FRA) ,  HUET Karim (LASSE-SCREEN Semiconductor Solutions, Gennevilliers, FRA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 8  ページ： 086503.1-086503.5  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能低電圧電力MOSFETのPベース接合を形成するために,集中ビームのエキシマレーザアニーリングを行った。エキシマレーザアニーリングル(ELA)を用いることにより,均一な不純物分布を有するPベース接合の等価な浅い接合構造を実現した。照射したパルスエネルギー密度とエキシマレーザのショット数により,Pベース接合部の不純物分布を正確に制御できた。浅い接合部の不純物の高活性化が融解相に確認した。また,実用的な低電圧トレンチゲートMOSFETの製造工程におけるレーザアニーリング技術の応用についても検討した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *電力トランジスタ ,  エキシマレーザ ,  *レーザアニーリング ,  半導体接合 ,  ゲート【半導体】
準シソーラス用語： トレンチゲート ,  *電力MOSFET

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (19件)：

• M. A. Gajda, S. W. Hodgskiss, L. A. Mounfield, N. T. Irwin, G. E. J. Koops, and R. van Dalen, Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, 2006, p. 112.
• L. Lorenz, G. Deboy, A. Knapp, and M. Marz, Proc. Int. Symp Power Semiconductor Devices and ICs, 1999, p. 3.
• B. J. Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices (Springer, New York, 2008) p. 286.
• T. Ito, K. Suguro, M. Tamura, T. Taniguchi, Y. Ushiku, T. Iinuma, T. Itani, M. Yoshioka, T. Owada, Y. Imaoka, H. Murayama, and T. Kusuda, Ext Abstr. IWJT, 2002, p. 23.
• C. Ortolland, L.-A. Ragnarsson, P. Favia, O. Richard, C. Kerner, T. Chiarella, E. Rosseel, Y. Okuno, A. Akheyar, J. Tseng, J.-L. Everaert, T. Schram, S. Kubicek, M. Aoulaiche, M. J. Cho, P. P. Absil, S. Biesemans, and T. Hoffmann, Proc. VLSI Technology Symp., 2009, p. 38.

タイトルに関連する用語 (2件)： 低電圧 ,  電力MOSFET