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J-GLOBAL ID：201002200539234236   整理番号：10A0780896

ゲート誘起ドレインリーク(GIDL)を考慮した低スタンバイ電力(LSTP)動作のための32nm技術ノードにおけるSOI FinFETの設計

Design of SOI FinFET on 32nm technology node for low standby power (LSTP) operation considering gate-induced drain leakage (GIDL)

著者 (6件)： CHO Seongjae (Inter-university Semiconductor Res. Center (ISRC) and School of Electrical Engineering and Computer Sci., Seoul ...) ,  LEE Jung Hoon (Inter-university Semiconductor Res. Center (ISRC) and School of Electrical Engineering and Computer Sci., Seoul ...) ,  O’UCHI Shinichi (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  ENDO Kazuhiko (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  MASAHARA Meishoku (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  PARK Byung-gook (Inter-university Semiconductor Res. Center (ISRC) and School of Electrical Engineering and Computer Sci., Seoul ...)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 10  ページ： 1060-1065  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GIDLは,接合ドーピング濃度が急激に変わる,超小型デバイスにおける電流特性を決める重要な因子になっている。そこでは,高度にスケールされたMOSFETのLSTPのために,効率的に抑制しなければならない。本稿では,GIDL電流におけるドーピングプロフィルの効果を十分に調査した。ドーピングプロフィルを調整するために,二つの変数をセットアップした:すなわち,ピーク対ゲートエッジ距離とドーピング勾配である。また,アンダーラップ長さをこれら二つの変数の差により決定可能にした。ピーク対ゲートエッジ距離とドーピング勾配の組合わせ効果の解析に基づいてGIDLを最小にする方法を,32nm技術ノードにおけるシリコン(SOI)FinFETのLSTP動作のために調査した。GIDL電流の効果的抑制は,ユニークな解よりも,これら二つの変数を組合わせた数により達成した。変数の許容ペアをプロットした二次元および三次元マップは,数値シミュレーションによる結果を示した。また,この目的のために,GIDLを抽出する定量的方法を導入した。それは,実在するものと比較して物理的に合理的である。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *SOI構造 ,  ドレイン【半導体】 ,  ドーピング ,  MOSFET ,  経歴 ,  二次元 ,  三次元 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： FinFET ,  *スタンバイ電力 ,  プロファイル ,  数値シミュレーション

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： ゲート ,  誘起 ,  ドレイン ,  リーク ,  GIDL ,  スタンバイ電力 ,  ノード ,  SOI ,  FinFET ,  設計