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J-GLOBAL ID：201002201908406840   整理番号：10A0732828

金属-絶縁体-半導体ヘテロ構造キャパシタのC(V)キャラクタリゼイションによる窒化ケイ素不動態化とAlGaN/AlN/GaNヘテロ構造との間の界面の研究

Investigation of the interface between silicon nitride passivations and AlGaN/AlN/GaN heterostructures by C(V) characterization of metal-insulator-semiconductor-heterostructure capacitors

著者 (8件)： FAGERLIND M. (Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-41296 Goeteborg, SWE) ,  ALLERSTAM F. (Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-41296 Goeteborg, SWE) ,  SVEINBJOERNSSON E. Oe. (Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-41296 Goeteborg, SWE) ,  RORSMAN N. (Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-41296 Goeteborg, SWE) ,  KAKANAKOVA-GEORGIEVA A. (Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE) ,  LUNDSKOG A. (Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE) ,  FORSBERG U. (Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE) ,  JANZEN E. (Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 1  ページ： 014508  発行年： 2010年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-絶縁体-半導体ヘテロ構造キャパシタの容量-電圧[C(V)]測定を用いて,窒化ケイ素不動態化とAlGaN/AlN/GaNヘテロ構造材料との間の界面を研究した。三つの異なる堆積技術を用いて堆積した,異なる窒化ケイ素不動態化層をもつAlGaN/AlN/GaN試料を評価した。異なる界面状態分布は,C(V)特性に大きな差を生じた。C(V)特性から固定電荷及びトラップを引き出す方法を述べた。トラップの放出時間定数の粗い推定を,C(V)特性の注意深い分析により引き出すことができた。固定電荷は,すべての試料に関して正で,密度は1.3×10¹²と7.1×10¹²との間で変化した。トラップに関して,界面状態のピーク密度は,三つの試料に関して,16×10¹²と31×10¹²との間で変わった。この報告で研究した堆積方法の中で,低圧化学蒸着窒化ケイ素不動態化は,界面状態の低い密度に関して最も有望な結果を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MIS構造 ,  窒化ケイ素 ,  不動態化 ,  窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  界面 ,  容量電圧特性 ,  LPCVD
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  *キャパシタ ,  窒化ガリウムアルミニウム ,  *界面状態 ,  固定電荷 ,  トラップ【固体】

分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (11件)： 絶縁体 ,  ヘテロ構造 ,  キャパシタ ,  キャラクタリゼイション ,  窒化ケイ素 ,  不動態化 ,  AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  界面 ,  研究