FAGERLIND M. について
Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-41296 Goeteborg, SWE について
ALLERSTAM F. について
Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-41296 Goeteborg, SWE について
SVEINBJOERNSSON E. Oe. について
Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-41296 Goeteborg, SWE について
RORSMAN N. について
Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-41296 Goeteborg, SWE について
KAKANAKOVA-GEORGIEVA A. について
Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE について
LUNDSKOG A. について
Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE について
FORSBERG U. について
Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE について
JANZEN E. について
Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE について
Journal of Applied Physics について
MIS構造 について
窒化ケイ素 について
不動態化 について
窒化アルミニウム について
窒化ガリウム について
界面 について
容量電圧特性 について
LPCVD について
ヘテロ構造 について
キャパシタ について
窒化ガリウムアルミニウム について
界面状態 について
固定電荷 について
トラップ【固体】 について
金属-絶縁体-半導体構造 について
半導体薄膜 について
半導体の表面構造 について
絶縁体 について
ヘテロ構造 について
キャパシタ について
キャラクタリゼイション について
窒化ケイ素 について
不動態化 について
AlGaN について
AlN について
GaN について
界面 について
研究 について