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J-GLOBAL ID：201002203036733340   整理番号：10A0777015

TiO₂へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響

The influence of Y incorporation into TiO₂ on Electronic States and Resistive Switching Characteristics

著者 (7件)： 大田晃生 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  後藤優太 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  KAZALMAN Mohd Fairuz (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  WEI Goubin (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  村上秀樹 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  東清一郎 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  宮崎誠一 (広島大 大学院先端物質科学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 90(SDM2010 33-48)  ページ： 79-84  発行年： 2010年06月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 抵抗変化型メモリにおいて,電気抵抗変化の低電圧動作や安定したスイッチング特性を得ることを目的とし,TiO₂へのY添加が化学結合状態および抵抗変化特性に与える影響を評価した。スパッタリング法により形成したPt膜上に,Ti(dipivaloymethanato:DPM)₄およびY(DPM)₃を原料に用いたMOCVDによりY/(Ti+Y)組成(0~33%)の異なるTiY_xO_y膜を形成し,膜緻密化のために~1% O₂雰囲気中(大気圧)500°Cで熱処理を行った。Y/(Ti+Y)組成0~33%の領域で,X線光電子分光と分光エリプソメトリにより,TiY_xO_y薄膜のエネルギーバンドギャップ(Eg)及びPtに対する価電子帯側の障壁高さを実測し,TiY_xO_y/Pt界面のバンド不連続量を明らかにした。Au上部電極を用いたMIMキャパシタにおいて,正バイアス印加によるI-V特性より抵抗変化動作を評価し,TiO₂中へのY添加によるV_SETおよびV_RESETのばらつきの改善など安定した抵抗変化動作を観測した。(著者抄録)

シソーラス用語： *酸化チタン ,  *イットリウム ,  *RAM【メモリ】 ,  *電気抵抗 ,  *X線光電子分光法 ,  バンドギャップ ,  偏光解析法 ,  *ドーピング ,  薄膜コンデンサ ,  電流電圧特性 ,  *MIM構造 ,  状態分析 ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  MOCVD
準シソーラス用語： 抵抗変化メモリ ,  ReRAM ,  分光偏光解析法 ,  MIMキャパシタ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (12件)：

• HICKMOTT, T. W. J. Appl. Phys. 1962, 33, 2669
• GIBBSONS, J. F. Solid-State Electron. 1964, 7, 785-797
• BAEK, I. G. Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., 2004. 2004, 587
• International Technology Roadmap for Semiconductors. 2009
• SAWA, A. Material Today. 2008, 11, 28-36

タイトルに関連する用語 (3件)： TiO2 ,  電子状態 ,  抵抗変化