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J-GLOBAL ID：201002203332783980   整理番号：10A0685115

ASMLのNXEプラットフォームによるEUV生産

EUV into production with ASML’s NXE platform

著者 (11件)： WAGNER Christian (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  HARNED Noreen (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  KUERZ Peter (Carl Zeiss SMT AG, Oberkochen, DEU) ,  LOWISCH Martin (Carl Zeiss SMT AG, Oberkochen, DEU) ,  MEILING Hans (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  OCKWELL David (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  PEETERS Rudy (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  VAN INGEN-SCHENAU Koen (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  VAN SETTEN Eelco (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  STOELDRAIJER Judon (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  THUERING Bernd (Carl Zeiss SMT AG, Oberkochen, DEU)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7636  号： Pt.1  ページ： 76361H.1-76361H.12  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ASMLの開口数0.25のEUVαデモ露光装置(ADT)を用いた論理及び記憶素子が試作されている,本稿では,ASMLのEUV露光装置NXEプラットフォームを検討した。ADTの現状を調べ,解像性の高いNXE:3100を開発し,その特性を評価した。開口数0.3のNXE:3300についても検討した。この結果により,以下のことを示した。1)ADTを用いて16nmSRAMチップを製作した。2)NXE:3100は解像力が27nmでスループットは60ウエハ/時,重合わせ精度は4.5nmであった。3)NXE:3300は開口数が0.32で22nmを解像し,斜入射光学系で18~16nmを解像し,125~150ウエハ/時のスループットになるように設計した。

シソーラス用語： フォトリソグラフィー ,  *生産 ,  開口数 ,  記憶素子 ,  分解能 ,  SRAM ,  半導体チップ ,  スループット ,  ウエハ【IC】 ,  論理素子
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー ,  チップ【IC】 ,  プラットフォーム【機械】 ,  解像性 ,  解像力 ,  *露光装置

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： プラットフォーム ,  EUV