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J-GLOBAL ID：201002211918162325   整理番号：10A0128064

イオン注入を使用する浮上プロセスにより製造した単結晶ダイヤモンド板の結晶度の改良

Improvements of crystallinity of single crystal diamond plates produced by lift-off process using ion implantation

著者 (4件)： MOKUNO Y. (Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda ...) ,  CHAYAHARA A. (Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda ...) ,  YAMADA H. (Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda ...) ,  TSUBOUCHI N. (Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda ...)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 19  号： 2-3  ページ： 128-130  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入を使用する浮上プロセスにより改良された結晶度を持つ自立性単結晶CVDダイヤモンド板を作製するために,化学蒸着(CVD)によって成長した厚さ9mmのインゴットから切り出した単結晶ダイヤモンド基板を使用した。基板表面の転位を減少させるために,{100}面に沿ってインゴット成長方向に切断した。さらに,繰り返された浮上プロセスは基板の表面損傷を低減した。偏光顕微鏡法(PLM)と高解像度X線分析によって,これらの処理がCVDダイヤモンド板の結晶度を改良することを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  単結晶 ,  基板 ,  化学蒸着 ,  切削 ,  イオン注入 ,  剥離 ,  転位【結晶】 ,  結晶度

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  浮上 ,  プロセス ,  単結晶ダイヤモンド ,  結晶度