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J-GLOBAL ID：201002212341841860   整理番号：10A1102059

電子ドープVO₂薄膜におけるX線誘起絶縁体-金属相転移

著者 (13件)： 渋谷圭介 (理研) ,  奥山大輔 (理研) ,  熊井玲児 (産業技術総合研) ,  山崎裕一 (KEK 物構研) ,  中尾裕則 (KEK 物構研) ,  村上洋一 (KEK 物構研) ,  田口康二郎 (理研) ,  有馬孝尚 (東北大 多元物質科研) ,  川崎雅司 (理研) ,  川崎雅司 (東北大 WPI 材料機構) ,  十倉好紀 (理研) ,  十倉好紀 (東大 工) ,  十倉好紀 (JST-ERATO)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.15P-NE-5  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化バナジウム ,  ドーピング ,  タングステン ,  *金属-絶縁体転移 ,  X線照射 ,  格子定数 ,  *電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  レーザ蒸着 ,  基板 ,  酸化チタン ,  シンクロトロン放射 ,  ルチル型結晶 ,  単斜晶系 ,  低温 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 正方 ,  電子ドーピング

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子 ,  ドープ ,  VO2 ,  薄膜 ,  X線 ,  誘起 ,  絶縁体-金属相転移