文献
J-GLOBAL ID:201002215373678227   整理番号:10A0379046

ナノスケール分子素子に有用な貴金属-カルコゲン結合により形成される金属-分子界面

Metal-Molecule Interfaces Formed by Noble-Metal-Chalcogen Bonds for Nanoscale Molecular Devices
著者 (4件):
資料名:
巻: 114  号:ページ: 4044-4050  発行年: 2010年03月11日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
貴金属は電子素子の電極材料として重要である。本研究で,Ag(III)およびCu(II)基板上にベンゼンチオールおよびベンゼンセレノール単分子層を蒸着させ,X線光電子分光法(XPS)および紫外光電子分光法(UPS)を用い,貴金属-カルコゲン結合により形成される金属-分子界面の電子状態を系統的に調べた。Ag-S,Ag-SeおよびCu-S界面はその金属性質を保持し,その一方でCu-Se界面は酸化されることがわかった。今回および以前の研究の結果から,調べた金属-分子界面の内,Au-Seは貴金属-カルコゲン界面を利用するナノスケール分子素子に最も適するものと結論した。金属-分子界面系におけるスクリーニングパラメータは0.5であり,かくして界面電子状態がFermi準位付近に存在し,しかしFermi準位付近の分子に由来する状態密度は非常に小さいものと推定される。金属-単一分子-金属結合の電気伝導機構は分子のフロンティア軌道からなる界面電子状態を経るトンネルを含み,また単一分子コンダクタンスは低電圧で非常に小型であると考察した。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固-液界面  ,  金属の表面構造 

前のページに戻る