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J-GLOBAL ID：201002215423813325   整理番号：10A0005546

金属被覆層による光電子分光測定時のSiO₂/Si構造上の帯電の除去

Removal of charging on SiO₂/Si structure during photoelectron spectroscopy measurements by metal overlayer

著者 (3件)： KIM Woo-byoung (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., and CREST, Japan Sci. and Industrial Agency, 8-1 Mihogaoka ...) ,  NISHIYAMA Masayoshi (Renovation Center of Instruments for Sci. Education and Technol., Osaka Univ., Toyonaka, Osaka 560-0043, JPN) ,  KOBAYASHI Hikaru (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., and CREST, Japan Sci. and Industrial Agency, 8-1 Mihogaoka ...)
資料名： Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena  (Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena)
巻： 176  号： 1-3  ページ： 8-12  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： D0266C  ISSN： 0368-2048  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si上に二酸化ケイ素(SiO₂)層が形成される時,SiO₂によるSi2pピークのSi基板ピークに対するエネルギーシフトは比較的大きいが,接地した3nm金属被覆の蒸着によってそのシフト量は減少する。SiO₂表面上の光電子放出に起因する正電荷によりSiO₂表面に向かって下向きのポテンシャル勾配が誘起される。この下向きのポテンシャル勾配により,表面でのSiO₂のSi2p準位とSiO₂/Si界面での基板のSi2p準位の間でのエネルギー差が増大する。帯電によるSiO₂のSi2pピークのシフトは厚さと共に増大するが,この厚さ依存性はアースされたPd被覆層によって低下する。SiO₂上の光電子放出による帯電の密度が漏れ特性に強く依存するため,基板のSi2pピークからのSiO₂ Si2pピークのシフト量は漏れ電流密度の減少と共に大きくなる。98wt%HNO₃水溶液により形成されるSiO₂層は40wt%HNO₃溶液で作成されるものより漏れ電流密度が小さく,そのため,SiO₂ Si2pピークのシフトが増大した。SiO₂層の高い原子密度と亜酸化物の低い密度で漏れ電流密度はより小さくなる。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,  鉛 ,  スペクトルシフト ,  電荷分布 ,  漏れ電流 ,  電気抵抗率 ,  *X線光電子スペクトル ,  赤外吸収スペクトル ,  *帯電防止 ,  被覆層 ,  金属薄膜 ,  パラジウム ,  絶縁膜 ,  *MOS構造
準シソーラス用語： 電荷密度

分類 (2件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 被覆層 ,  光電子分光 ,  SiO2 ,  Si ,  帯電