抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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核スピンを持つ同位体
13C(I=1/2)の量を増やしたダイアモンド試料を用いることにより,量子ビット数を数量子ビットに増やした系での研究を単一NV(窒素-空孔複合体)中心で行えるようにした。核スピンを増やすとT
2短縮が生じる可能性があり,これを調べるために
13Cの核スピンによる多量子ビット化とそれらの単一核スピンコヒーレンスの制御研究と平行して電子スピン解明の研究を行った。固体中の量子ビット間での量子もつれ状態を室温で初めて実現し,3つの核スピン系が結合した系での単一核スピンを制御し,室温における電子スピンのT
2を1ミリ秒以上に長時間化するなど,NV中心の持つ高い潜在能力を示すことに成功している。本解説では,最初にNV中心について説明し,これを用いた研究について概説した。