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J-GLOBAL ID:201002217463327248   整理番号:10A0884129

CoドープBaFe2As2エピタキシャル膜の双結晶粒界接合を用いて作製したDC超伝導量子干渉素子

DC superconducting quantum interference devices fabricated using bicrystal grain boundary junctions in Co-doped BaFe2As2 epitaxial films
著者 (7件):
資料名:
巻: 23  号:ページ: 082001,1-4  発行年: 2010年08月 
JST資料番号: T0607A  ISSN: 0953-2048  CODEN: SUSTEF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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30°の傾角をもつLSAT双結晶基板上にBaFe2As2:Oエピタキシャル膜を育成し,dc-SQUIDを作製することに成功した。エピタキシャル膜の作製にはNd:YAGレーザの第二高調波を励起源とするパルスレーザ堆積法を用いた。V-φ特性において明瞭な周期的変調を観測し,dc-SQUID動作を確認した。磁束ノイズSφ1/2スペクトルから,このdc-SQUIDのノイズレベルはYBCO膜を用いた典型的なdc-SQUIDよりも一桁ほど大きいことが分かった。これは,BaFe2As2:Coの常伝導状態の金属性に起因する電圧変調深さが小さいことに主たる原因がある。
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分類 (2件):
分類
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Josephson接合・素子  ,  その他の超伝導体の物性 

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