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J-GLOBAL ID：201002217638564809   整理番号：10A0204698

強磁場印加による(110)pMOSFETサブバンド構造の直接的観測

Direct Observation of Subband Structures in (110) pMOSFETs under High Magnetic Field

著者 (7件)： 高橋綱己 (東京工大) ,  山端元音 (東京工大) ,  小木純 (東京工大) ,  小寺哲夫 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  小田俊理 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  内田建 (東京工大) ,  内田建 (JST-PREST)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 408(SDM2009 171-181)  ページ： 5-8  発行年： 2010年01月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： (110)pFETのバンド構造とキャリア輸送特性を,広い温度域と強磁場下における電気特性から評価した。バルクのSiにおいては軽い正孔と重い正孔のエネルギーバンドは縮退しているが,(110)pFETはこれらの縮退が解けた2つのエネルギーバンドを持つ。この2つのエネルギーバンドのエネルギー差を実験的に求め,それぞれのバンドの有効質量をShubnikov-de Haas振動の解析によって得た。2つのエネルギーバンドのうち,エネルギーの高いバンドは,エネルギーの低いバンドより移動度が小さく,これによって,低温において移動度の急激な減少とI_d-V_g特性におけるハンプ特性が現れることが明らかになった。(著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *バンド構造 ,  *Shubnikov-de Haas効果 ,  強磁場 ,  磁場効果 ,  キャリア移動度 ,  相互コンダクタンス ,  輸送現象 ,  電気伝導 ,  状態密度 ,  有効質量
準シソーラス用語： *サブバンド

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (9件)：

• FISCHETTI, M. V. Six-band k.p calculation of the hole mobility in silicon inversion layers : Dependence on surface orientation, strain, and silicon thickness. J. Appl. Phys. 2003, 92, 2, 1079-1095
• IRIE, H. In-plane mobility anisotropy and universality under uni-axial strains in n- and p-MOS inversion layers on (100), (110), and (111) Si. IEDM Tech. Digest, San Francisco, United States, December 2004. 2004, 225-228
• THOMPSON, S. E. Uniaxial-process-induced Strained-Si : Extending the CMOS roadmap. IEEE Trans. Electron Devices. 2006, 53, 5, 1010-1020
• SAITOH, M. Physical understanding of fundamental properties of Si (110) pMOSFETs-Inversion-layer capacitance, mobility universality, and uniaxial stress effects-. IEDM Tech. Digest, Washington, United States, December 2007. 2007, 711-714
• SHIMIZU, K. Experimental investigation on the origin of direction dependence of Si (110) hole mobility utilizing ultra-thin body pMOSFETs. IEDM Tech. Digest, San Francisco, United States, December 2008. 2008, 67-70

タイトルに関連する用語 (5件)： 強磁場 ,  印加 ,  pMOSFET ,  サブバンド構造 ,  観測