KrFレーザーおよびZnOナノロッドを用いた表面粗化による垂直構造GaNベース発光ダイオード光出力の増強

LEE Wei-Chi; UANG Kai-Ming; CHEN Tron-Min; KUO Der-Ming; WANG Pei-Ren; WANG Po-Hong; WANG Shui-Jinn

文献

J-GLOBAL ID：201002220743447304 整理番号：10A0491081

KrFレーザーおよびZnOナノロッドを用いた表面粗化による垂直構造GaNベース発光ダイオード光出力の増強

Enhanced Light Output of Vertical-Structured GaN-Based Light-Emitting Diode with Surface Roughening Using KrF Laser and ZnO Nanorods

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著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 49 号： 4,Issue 2 ページ： 04DG12.1-04DG12.4 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

垂直構造GaNベース発光ダイオード(V-LED)の性能をさらに向上させるために,KrFレーザーおよびKOH湿式エッチングを用いた表面粗化,そしてそれに続くn-GaN表面最上部での垂直整列ZnOナノロッドの水熱成長を調べ,検討した。表面をKOH湿式エッチングしただけのV-LED(チップ寸法で300×300μm²)のそれと比べて,n-GaN表面上の湾曲突起そしてZnOナノロッドの形成は,典型的に20mAで29%そして100mAで41%だけの光出力電力(L_op)の増大を可能にするとともに,それぞれ20mAで3.24から3.06Vまで,そして100mAで3.9から3.7Vまでの順方向電圧(V_f)の減少を伴った。n-GaN層の有効厚さを効果的に低減させる結果として形成され湾曲突起,六方円錐そして垂直整列ZnOナノロッドの累積的効果は,,n-GaNへのオーミック接触を向上させ,表面放出面積を増大させ,そして格子の脱出確率を増強して,これらの改善に関与した。(翻訳著者抄録)

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発光素子

引用文献 (19件)：

S. Nakamura, M. Senoh, S. I. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita. Y. Sugimoto, and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett.70(1997)868.
W. S. Wong, T. Sands, N. W. Cheung, M. Kneissl, D. P. Bour, P. Mei. L. T. Romano, and N. M. Johnson: Appl. Phys. Lett.75(1999)1360.
S. J. Wang. K. M. Uang, S. L. Chen, Y. C. Yang, S. C. Chang, T. M. Chen, and C. H. Chen: Appl. Phys. Lett.87(2005)011111.
T. M. Chen, S. J. Wang, K. M. Uang, S. L. Chen, W. C. Tsai, W. C. Lee, and C. C. Tsai: Appl. Phys. Lett.90(2007)041115.
C. E. Lee, Y. C. Lee, H. C. Kuo, T. C. Lu, and S. C. Wang: IEEE Photonics Technol. Lett.20(2008)803.

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