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J-GLOBAL ID：201002220827618147   整理番号：10A0731618

DUV,EUV,電子ビーム撮像用の無機フォトレジストの開発

Development of an inorganic photoresist for DUV, EUV, and electron beam imaging

著者 (10件)： TRIKERIOTIS Markos (Cornell Univ., New York, USA) ,  BAE Woo Jin (Cornell Univ., New York, USA) ,  SCHWARTZ Evan (Cornell Univ., New York, USA) ,  KRYSAK Marie (Cornell Univ., New York, USA) ,  LAFFERTY Neal (Rochester Inst. Technol., New York, USA) ,  XIE Peng (Rochester Inst. Technol., New York, USA) ,  SMITH Bruce (Rochester Inst. Technol., New York, USA) ,  ZIMMERMAN Paul (SEMATECH, Inc.) ,  OBER Christopher K. (Cornell Univ., New York, USA) ,  GIANNELIS Emmanuel P. (Cornell Univ., New York, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7639  号： Pt.1  ページ： 76390E.1-76390E.10  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究の目的はフォトリソグラフィー(深紫外線,極端紫外線)と電子ビームリソグラフィーに利用できる,酸化ハフニウム(HfO₂)ナノ粒子からなるエッチング耐性の高い無機レジストの開発にある。まず,HfO₂ナノ粒子を合成するための種々の手法を示した。ナノ粒子のゾル-ゲル処理時に,様々な有機配位子を用いて最終生成物の表面化学を制御した。193nmにおけるレジストの屈折率は約2.0であった。次に,ナノ粒子の粉体,溶液,薄膜の特性を調べた。最後に,フォトリソグラフィーと電子ビームリソグラフィーに対したフォトレジスト性能を評価した。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  電子ビームリソグラフィー ,  紫外線 ,  極端紫外線 ,  *酸化ハフニウム ,  粉体 ,  ナノ粒子 ,  結晶成長 ,  *フォトレジスト ,  界面化学 ,  耐性
準シソーラス用語： 深紫外線 ,  *無機フォトレジスト ,  表面化学 ,  エッチング耐性

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： EUV ,  電子ビーム ,  撮像 ,  フォトレジスト ,  開発