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J-GLOBAL ID：201002221475043056   整理番号：10A1024379

携帯電話と高周波磁気応用技術の現状と今後への期待 携帯電話用薄膜インダクタ

Magnetic Thin Film Inductors for Mobile Phones

著者 (1件)： 池田賢司 (太陽誘電 R&Dセ)
資料名： まぐね  (Magnetics Japan)
巻： 5  号： 10  ページ： 457-462  発行年： 2010年10月01日 
JST資料番号： L5842A  ISSN： 1880-7208  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 携帯電話など高周波無線機器に使用する薄膜インダクタについて必要な材料特性,導体デザインなどについて概説した。磁性薄膜として優れた高周波特性が報告されているグラニュラー系磁性薄膜の特性と実際に製作した磁性薄膜インダクタの特性について述べ,インダクタ導体デザインや磁性薄膜物性の影響について解説した。CoFeSiO/SiO₂ 多層グラニュラーフィルムと銅スパイラルコイルで製作したインダクタはサイズ670x670μm²であった。強磁性共鳴損失,渦電流損失の影響抑制と高インダクタンス効率の充分な活用が実デバイス応用の鍵である。

シソーラス用語： *携帯電話 ,  *薄膜インダクタ ,  *磁性薄膜 ,  周波数特性 ,  渦電流損 ,  強磁性共鳴
準シソーラス用語： 高周波特性

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

引用文献 (26件)：

• OKADA, T. NTT DoCoMo Technical Journal. 2008, 10, 47
• OHYA, T. NTT DoCoMo Technical Journal. 2008, 10, 23
• KOIWA, M. NTT DoCoMo Technical Journal. 2006, 8, 31
• YUE, C. P. 36th Annual Conference on Design Automation. 1999, 54, 982
• CAO, Y. IEEE J. Solid-State Circuits. 2003, 38, 419

タイトルに関連する用語 (6件)： 携帯電話 ,  高周波 ,  磁気応用 ,  現状 ,  期待 ,  薄膜インダクタ